点亮“中国芯”！江风益院士团队斩获国家自然科学奖一等奖

7月8日，国家科学技术奖励大会、两院院士大会、中国科协第十一次全国代表大会在北京同步召开。会上正式公布2025年度国家自然科学奖获奖名单，由中国科学院院士、南昌大学江风益教授牵头完成的“V缺陷三维PN结及应用”项目，斩获一等奖，这也是江西省本土高校首次摘得该奖项最高荣誉，实现零的突破。

在此之前，全球半导体行业普遍秉持“位错缺陷越少、越小越好”的固有认知，认为氮化镓材料中的V缺陷会损害芯片发光性能，研发工作均以消除缺陷为目标。江风益团队经过长期微观实验观测，颠覆行业固有认知，发现量子阱区域由位错形成的V缺陷三维结构，可高效促进空穴注入、优化量子阱质量，将原本损害芯片性能的缺陷转化为增益优势。

基于这一全新发现，项目提出了V缺陷三维PN结理论方法，将传统二维平面PN界面升级为三维立体结构，优化空穴注入路径，使其从高势垒极性面转为低势垒半极性面，完成V缺陷从“有大害”到“有小害”再到“有大用”的核心转变。依托这套底层理论，项目大幅提升黄光、氮化镓红光、蓝绿光LED的发光与电注入效率，实现全色系氮化镓芯片性能跨越式升级。

该项目属于半导体发光领域应用基础研究，核心研发团队由江风益、张建立、徐龙权、全知觉、吴小明组成，扎根南昌大学、南昌实验室长期攻关。三十余年来，江风益团队深耕硅基氮化镓LED赛道，跳出海外成熟技术路线束缚，走出完全自主的原创科研路径，完成从基础理论创新到产业落地的完整闭环。

值得一提的是，这套诞生于非共识自主路线的理论体系，现已获得全球学术界广泛认可，可适配行业主流氮化镓芯片制造工艺，全面提升行业通用技术水平，有力推动半导体发光学科进步与照明、显示全产业链高质量发展。